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寻找和开发新型沟道半导体材料，引导如近年来兴起的二维材料，引导进而延续摩尔定律或构建新原理器件，是凝聚态物理、材料科学和电子器件领域的前沿课题和一大研究重点。当前，环境由于受到短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，环境CMOS（互补金属氧化物半导体）技术有可能达到极限，这也预示着摩尔定律的步伐可能会减慢或终结。
由于材料晶粒之间的晶界将造成电子散射，监测节的计量同时考虑到半导体工业通常以晶圆级材料为基础进行加工和应用，监测节的计量故大面积单晶材料的生长制备尤为重要，而如何控制制备大尺寸Bi2O2Se单晶就显得尤为关键。研究者还发现基于Bi2O2Se的光电探测器显示出优异的光响应度（2.2x104 AW-1）、等环探测率（3.4x1015 Jones）和开/关比（~109），等环是迄今为止报道的Bi2O2Se和其他二维材料光电晶体管的最好性能之一，表明物理气相沉积法制备的毫米级二维Bi2O2Se材料在光电器件中具有良好的应用前景。其中生长基底与Bi2O2Se的晶格匹配适中，资源能够自限制外延生长二维原子晶体，进而制备出2毫米尺寸的单层和少层二维Bi2O2Se单晶。
论文第一作者为TBSI博士后UsmanKhan，配置通讯作者为刘碧录副教授和成会明教授，论文作者还包括TBSI博士生罗雨婷、唐磊、滕长久和刘佳曼。广西【前言】现代信息技术的进步在很大程度上依赖于以半导体硅和III-V族化合物为基础材料的集成电路的发展。
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【成果简介】为解决上述难题，环境清华大学清华-伯克利深圳学院(TBSI)成会明、环境刘碧录团队发展了一种物理气相沉积自限制外延法生长毫米级二维Bi2O2Se单晶。哈哈，监测节的计量真是一只逗比猫。
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